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transcend/創(chuàng)見UTE210T & UTE210T-I

創(chuàng)見U.2 NVMe固態(tài)硬盤UTE210T以112層3D NAND閃存打造，搭載8通道控制器與PCIe Gen 4x4傳輸接口，并符合NVMe 1.4標準，帶來前所未有的傳輸效能；內(nèi)置DRAM快取，提供絕佳的隨機訪問速度，同時搭配抗硫化電阻，強化關(guān)鍵組件保護，抵御嚴苛的工業(yè)應(yīng)用環(huán)境。UTE210T的散熱效能優(yōu)于一般固態(tài)硬盤，適合全天候高速運轉(zhuǎn)的設(shè)備，避免機臺過熱導(dǎo)致數(shù)據(jù)儲存異常。

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外觀
尺寸	100 mm x 69.85 mm x 7 mm (3.94" x 2.75" x 0.28")
重量	60 g (2.11 oz)
外觀尺寸	U.2 2.5"
界面
總線接口	NVMe PCIe Gen4 x4
存儲
容量	512 GB/ 1 TB/ 2 TB/ 4 TB/ 8 TB
Flash類型	112層3D閃存
操作環(huán)境
工作電壓	12.0V±5%
工作溫度	類寬溫 -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) 寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	5% ~ 95%
耐沖擊	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (操作中)	6.49 瓦
耗電量 (IDLE)	1.0 瓦
效能
連續(xù)讀寫速度(CrystalDiskMark)	讀取: 高達 7,400 MB/s 寫入: 高達 6,600 MB/s
4K隨機讀寫速度(IOmeter)	讀取: 高達 630,000 IOPS 寫入: 高達 460,000 IOPS
平均故障間隔(MTBF)	3,000,000 小時
寫入兆位元組(TBW)	高達 11,520 TBW
每日全盤寫入次數(shù)(DWPD)	1.32 (3 年)
備注	傳輸速度會因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。用于評估DWPD的工作負載可能與實際工作負載不同，實際工作負載可能因（硬件、軟件、使用情況、產(chǎn)品容量）而異。