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transcend/創(chuàng)見 MTE760T & MTE760T-I

見PCIe M.2固態(tài)硬盤MTE760T以112層3D NAND閃存打造，搭載高速PCIe Gen 4 x4接口與強大控制器，帶來前所未有的傳輸效能；創(chuàng)見MTE760T擁有30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(Corner Bond)技術以及抗硫化電阻，強化關鍵組件保護，抵御嚴苛的工業(yè)應用環(huán)境。MTE760T經(jīng)過嚴格的廠內(nèi)測試，具備類寬溫特性 (-20°C~75°C)，在急遽溫差變化下仍能穩(wěn)定運作，展現(xiàn)高度可靠性。

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外觀
尺寸	80 mm x 22 mm x 2.23 mm (3.15" x 0.87" x 0.08")
重量	9 g (0.32 oz)
M.2規(guī)格	2280-S2-M (單面的)
外觀尺寸	M.2 2280
界面
總線接口	NVMe PCIe Gen4 x4
存儲
容量	256 GB/ 512 GB/ 1 TB/ 2 TB
Flash類型	112層3D閃存
操作環(huán)境
工作電壓	3.3V±5%
工作溫度	類寬溫 -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) 寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度	-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	5% ~ 95%
耐沖擊	15 G, 11 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (操作中)	8.4 瓦
耗電量 (IDLE)	0.84 瓦
效能
連續(xù)讀寫速度(CrystalDiskMark)	讀取: 高達 5,000 MB/s 寫入: 高達 4,100 MB/s
4K隨機讀寫速度(IOmeter)	讀取: 高達 500,000 IOPS 寫入: 高達 415,000 IOPS
平均故障間隔(MTBF)	3,000,000 小時
寫入兆位元組(TBW)	高達 2640 TBW
每日全盤寫入次數(shù)(DWPD)	1.2 (3 年)
備注	傳輸速度會因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。用于評估DWPD的工作負載可能與實際工作負載不同，實際工作負載可能因（硬件、軟件、使用情況、產(chǎn)品容量）而異。寫入兆位元組（TBW)數(shù)值以該系列產(chǎn)品最高容量為主。