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創(chuàng)見寬溫microSD卡USD465T & USD465I

創(chuàng)見USD465T閃存卡搭載高質(zhì)量162層3D NAND Flash，打造優(yōu)異的連續(xù)寫入速度，并具備3K次抹寫周期，展現(xiàn)更高穩(wěn)定性和使用壽命。適用于寫入密集型的醫(yī)療器材、監(jiān)視系統(tǒng)與POS終端機(jī)。創(chuàng)見還推出具備寬溫特性的USD465I閃存卡，可于-40℃到85℃下穩(wěn)定運(yùn)作，以確保工業(yè)機(jī)臺(tái)于任務(wù)密集型應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)卓越的運(yùn)作效能。

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外觀
尺寸	11 mm x 15 mm x 1 mm (0.43" x 0.59" x 0.04")
外觀尺寸	microSD記憶卡
存儲(chǔ)
Flash類型	162層3D閃存
容量	64 GB/ 256 GB/ 512 GB/ 1 TB
操作環(huán)境
工作電壓	2.7V ~ 3.6V
落摔測(cè)試	1.5m自由落摔
工作溫度	標(biāo)準(zhǔn) -25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F) 寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲(chǔ)存溫度	-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	0% ~ 95%
耐沖擊	加速度：490 m/s2 (標(biāo)準(zhǔn)保持時(shí)間：11 ms、半正弦波、速度變化：3.44 m/s)
耐振動(dòng) (操作中)	20 G (peak-to-peak), 20 Hz ~ 2,000 Hz (frequency)
效能
讀取速度 (最大)	高達(dá) 100 MB/s
寫入速度 (最大)	高達(dá) 80 MB/s
寫入兆位元組(TBW)	高達(dá) 2,660 TBW
備注	傳輸速度會(huì)因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。寫入兆位元組（TBW)數(shù)值以該系列產(chǎn)品最高容量為主。