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transcend/創見 MTE460T & MTE460T-I

創見MTE460TPCIeM.2SSD搭載PCIegen3x2傳輸接口，采用112層3DNAND閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE460T搭載30μ"金手指厚金鍍層PCB、邊緣粘合(CornerBond)技術與抗硫化電阻，強化關鍵組件保護，抵御嚴苛的工業應用環境。MTE460T經過嚴格的廠內測試。具備類寬溫特性(-20°C~75°C)，并可依據客戶需求提供寬溫規格（-40°C~85°C），在急遽溫差變化下仍能穩定運作，展現高度可靠性。

transcend/創見 MTE452T2

創見MTE452T2固態硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE452T2固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE452T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE452T & MTE452T-I

創見MTE452T固態硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE452T固態硬盤內建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，優異可靠的性能，完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE370T & MTE370T-I

創見M.22230固態硬盤MTE370T采用最新一代3DNAND技術，可堆疊高達112層閃存，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。MTE370T采用PCIegen3x4接口，符合NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；創見MTE370T固態硬盤經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，搭配30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE370T具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE352T

創見單面顆粒MTE352T固態硬盤搭載PCIegen3x2接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆疊高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE352T固態硬盤具備3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE352T具備類寬溫（-20℃~75℃）特性，完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE662A

創見MTE662AM.2固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆疊高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆疊，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE662A固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級。MTE662A符合TCGOpal2.0規范，數據可進行加密保存與分層管理，確保數據安全性。30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE662A具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE662T2

創見MTE662T2固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE662T2固態硬盤內置DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝亦提供優異可靠的性能。此外，MTE662T2具備類寬溫特性（-20℃~75℃），完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE652T2

創見MTE652T2固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合NVMe1.3規范，展現前所未有的傳輸效能。采用最新一代3D閃存，大幅突破單位密度上限，打造高儲存效益。30μ"金手指厚金鍍層PCB及邊角粘合(CornerBond)工藝提供絕佳耐用性，并內置DRAM高速緩存，加快隨機訪問速度。此外，MTE652T2固態硬盤具備類寬溫(-20°C~75°C)特性，賦予其抗熱耐寒表現，并具備3K抹寫次數的耐用度等級。

transcend/創見 MTE662T & MTE662T-I

創見MTE662T固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE662T固態硬盤內建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，優異可靠的性能，完美滿足任務密集型應用的需求。

transcend/創見 MTE652T & MTE652T-I

創見MTE652T固態硬盤搭載PCIegen3x4接口，符合最新NVMe1.3規范，帶來前所未有的傳輸效能；采用最新一代3DNAND技術，可堆棧高達96層閃存，相較于前一代3DNAND的64層堆棧，大幅突破單位密度上限，達到更高的儲存效益。創見MTE652T固態硬盤內建DRAM高速緩存，提供絕佳的隨機訪問速度，同時經過嚴格的廠內測試，達到3K抹寫次數的耐用度等級，優異可靠的性能，完美滿足任務密集型應用的需求。